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7nm工艺进展:TSMC良率“健康”三星还得等_英雄联盟下注网站

9 3月 , 2021  

本文摘要:英特尔宣布投入70亿美元升级Fab42工厂,3~4年后生产7nm工艺,拉开了下一代半导体工艺竞争的序幕。

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英特尔宣布投入70亿美元升级Fab42工厂,3~4年后生产7nm工艺,拉开了下一代半导体工艺竞争的序幕。三星、TSMC日前在ISSCC会议上宣布了自家7nm工艺的进展。TSMC展示了7nmHKMGFinFET工艺的256MbSRAM芯片。核心面只有16nm工艺的34%。

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而且成品率很好。三星展示的7nmSRAM芯片只有8Mb。

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更好的是研究性质。在ISSCC国际固体电路会议上,各大半导体公司发表了自家半导体技术的进展,AMD2020-03-29中提到的Ryzen处理器的核心面积在ISSCC会议上发表,EEtimes和Samsung的7nm TSMC的7nm256MBSRAM芯片TSMC在16nmFinFET中没有盈利,但在10nm、7nm工艺中雄心勃勃,预计今年上半年在10nm工艺中为苹果批量生产A11处理器,此次发布的7nm工艺TSMC公开发布了用7nm工艺生产的256MbSRAM芯片。位单元面积只有0.027 um 2,7,7层金属层工艺。

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整个核心面积也只有42mm2。TSMC存储业务部门高级管理层JonathanChang表示,TSMC7NM工艺的核心面积只有16nm工艺的0.34倍。

仅仅是良率的问题,TSMC在论文中7nm的工艺良率是“健康”(healthy ),听起来很自信。三星展示的8Mb SRAM芯片与此同时,三星也公开发表了7nm工艺的部分信息,但他们说明的SRAM芯片的容量是8mb,看起来不是研究开发的性质,而是更具研究性。三星对现有设备和EUV技术开发了两种修理技术,似乎EUV技术更好,但修理处理不是半导体生产的必要过程,三星只是检查EUV技术能做什么。

三星去年发布的消息显示,他们想用7nm工艺等到EUV工艺的成熟期,根据行业分析EUV工艺在2020年不会超过批量生产水平。

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